30×45mm DPC氧化铝陶瓷基板-用于大功率模块封装
该产品是专为大功率电子模块设计的高性能陶瓷电路板。采用高纯度氧化铝陶瓷基板和直接镀铜技术，在30×45mm大面积内实现双层电路走线。该基板具有优异的热管理能力、高绝缘强度和出色的机械稳定性，为IGBT、SiC、GaN等功率器件提供可靠的散热和电气连接平台。
导热系数 ≥ 24 W/(m·K)
支持功率密度 ≥ 30 W/cm²
铜厚可达 300 μm
连续电流容量 ≥ 50 A
介电强度 ≥ 15 kV/mm
体积电阻率 ≥ 10^⁴ Ω·cm
弯曲强度 ≥ 300 MPa
CTE 6.5-8.0 ppm/℃
分钟。线宽/线距：100 μm
层对位精度：±25 μm
工业电机驱动模块
新能源汽车控制系统
光伏/风电变流器
大功率电源模块
轨道交通牵引系统
特种电力设备
问：最高工作温度是多少？
答： 基板可在-55℃至300℃范围内稳定运行，短期能力可达350℃。
问：如何保证大电流下的可靠性？
答： 厚铜设计（高达300μm），优化的布局和焊接工艺确保长期可靠性。
Q：支持3D封装结构吗？
答： 是的，多层基板堆叠可实现 3D 封装以获得更高的功率密度。
问：防潮性能如何？
答： 氧化铝陶瓷具有优异的防潮性能，适合在85%RH下长期运行。
问: 定制的交货时间是多少？
A： 标准产品：2-3周；定制开发：4-6周，取决于技术复杂程度。
30×45mm DPC氧化铝陶瓷基板-用于大功率模块封装
该产品是专为大功率电子模块设计的高性能陶瓷电路板。采用高纯度氧化铝陶瓷基板和直接镀铜技术，在30×45mm大面积内实现双层电路走线。该基板具有优异的热管理能力、高绝缘强度和出色的机械稳定性，为IGBT、SiC、GaN等功率器件提供可靠的散热和电气连接平台。
导热系数 ≥ 24 W/(m·K)
支持功率密度 ≥ 30 W/cm²
铜厚可达 300 μm
连续电流容量 ≥ 50 A
介电强度 ≥ 15 kV/mm
体积电阻率 ≥ 10^⁴ Ω·cm
弯曲强度 ≥ 300 MPa
CTE 6.5-8.0 ppm/℃
分钟。线宽/线距：100 μm
层对位精度：±25 μm
工业电机驱动模块
新能源汽车控制系统
光伏/风电变流器
大功率电源模块
轨道交通牵引系统
特种电力设备
问：最高工作温度是多少？
答： 基板可在-55℃至300℃范围内稳定运行，短期能力可达350℃。
问：如何保证大电流下的可靠性？
答： 厚铜设计（高达300μm），优化的布局和焊接工艺确保长期可靠性。
Q：支持3D封装结构吗？
答： 是的，多层基板堆叠可实现 3D 封装以获得更高的功率密度。
问：防潮性能如何？
答： 氧化铝陶瓷具有优异的防潮性能，适合在85%RH下长期运行。
问: 定制的交货时间是多少？
A： 标准产品：2-3周；定制开发：4-6周，取决于技术复杂程度。
