12×12mm DPC氮化铝陶瓷基板-用于COB封装照明
该产品是专为COB封装照明设计的高性能陶瓷基板。采用高导热氮化铝陶瓷材料和直接镀铜技术,在12×12mm见方的面积内实现精密的双层电路结构。该产品具有优异的热管理能力、均匀的电流分布和稳定的光学特性,为高功率密度LED芯片阵列提供了理想的集成平台。

导热系数:≥180 W/(m·K)
热阻:<1.5 K/W
最大功率容量:60W
对称电路设计
压降:<0.1V
支持多芯片并联
芯片布局精度:±15μm
焊盘平整度:≤5μm
金层厚度:0.05-0.2μm
通过3000小时85℃/85%RH测试
热循环寿命:-40℃~150℃>1000次循环
优异的抗紫外线老化性能
商业照明 COB光源
工业工矿灯 演播室
专业照明
建筑景观照明
植物生长照明
医疗特种照明
Q:为什么选择AlN陶瓷基板进行COB封装?
答: COB封装功率密度高,发热大。 AlN 优异的导热性可确保芯片结温保持在安全范围内。
Q:如何保证多芯片色彩一致性?
答: 精密的电路设计和均匀的热场分布保证所有芯片工作在相同的温度环境下。
Q:支持定制芯片布局吗?
A: 根据光学设计要求,支持不同的排列方案。
问:最大集成芯片数量是多少?
答: 12×12mm 面积上最多可容纳 100 个芯片,具体取决于芯片尺寸和光学要求。
问:量产良率?
A: 自动化生产线确保产品良率99.2%以上,质量稳定。
12×12mm DPC氮化铝陶瓷基板-用于COB封装照明
该产品是专为COB封装照明设计的高性能陶瓷基板。采用高导热氮化铝陶瓷材料和直接镀铜技术,在12×12mm见方的面积内实现精密的双层电路结构。该产品具有优异的热管理能力、均匀的电流分布和稳定的光学特性,为高功率密度LED芯片阵列提供了理想的集成平台。

导热系数:≥180 W/(m·K)
热阻:<1.5 K/W
最大功率容量:60W
对称电路设计
压降:<0.1V
支持多芯片并联
芯片布局精度:±15μm
焊盘平整度:≤5μm
金层厚度:0.05-0.2μm
通过3000小时85℃/85%RH测试
热循环寿命:-40℃~150℃>1000次循环
优异的抗紫外线老化性能
商业照明 COB光源
工业工矿灯 演播室
专业照明
建筑景观照明
植物生长照明
医疗特种照明
Q:为什么选择AlN陶瓷基板进行COB封装?
答: COB封装功率密度高,发热大。 AlN 优异的导热性可确保芯片结温保持在安全范围内。
Q:如何保证多芯片色彩一致性?
答: 精密的电路设计和均匀的热场分布保证所有芯片工作在相同的温度环境下。
Q:支持定制芯片布局吗?
A: 根据光学设计要求,支持不同的排列方案。
问:最大集成芯片数量是多少?
答: 12×12mm 面积上最多可容纳 100 个芯片,具体取决于芯片尺寸和光学要求。
问:量产良率?
A: 自动化生产线确保产品良率99.2%以上,质量稳定。
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